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贵金属集团代表性成果展示
发布日期:2023-02-28 来源:原创 浏览:1176次
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1、大气污染防治——汽车尾气净化技术(杨冬霞)

中国汽车工业迈入国五、国六排放治理阶段,国六目前是世界上最严苛排放法规,对污染物单车排放量控制、催化剂耐久寿命、催化剂检测方法、排放一致性以及贵金属应用水平等方面提出的全新要求是世界性难题。针对于此,研发出高性能高耐久国五、国六汽车催化剂产品技术体系、解决规模化制造工艺装备等难点问题,是突破我国汽车后处理产业“卡脖子”技术、满足国家环保战略需求、保障国家大气治理产业链战略安全的核心关键。

昆明贵研催化剂有限责任公司开展国际化先进标准要求的重大产业升级和技术创新,围绕多元铈锆材料、贵金属减量、四效协同净化、高精准柔性涂覆、自动化制造等技术难题,发明创新了系列新工艺、新方法,研制出国五/国六超低贵金属三效催化剂、高性能国六CGPF四效催化剂新产品,相比国外同类产品贵金属减量20%,CGPF新产品填补国内空白,同时研发出满足国五/国六车载诊断系统(OBD)需求的催化剂极限老化技术。研发成果总体技术达到了国际先进水平,其中国六超低贵金属催化剂技术在部分车型上应 用达到了国际领先水平。建成了年产400万升的高水平全自动化国五/国六催化剂生产制造平台。

产品成功匹配上汽、长安、五菱、吉利、柳汽、北汽等车厂40多个车型项目。近三年累计销售催化剂600余万升(其中国六160 万升),新增销售收入40.3亿元,新增利税7025万元。授权发明专利5项,实用新型4项,制定国家标准1项,发表论文29篇,90人的技术创新团队多次获省级表彰奖励。经济、社会效益显著。

国五/国六汽车催化剂关键技术及产业化,2020年获云南省科技进步一等奖。

2、废物处理与利用——高效绿色冶金技术(赵雨)

针对我国铂族金属二次资源循环利用领域技术落后、环境污染严重等诸多问题,重点开展了铂族金属二次资源物料制取样技术、失效汽车催化剂等离子熔炼富集新工艺、失效化工催化剂高效富集新工艺及铂族金属分离提纯新技术的研究,多项关键工艺技术取得创新突破,形成了众多的知识产权成果,填补了国内空白,解决了铂族金属二次资源循环利用技术难度大、复杂程度高等难题及环境污染等问题,缓解了我国战略储备金属短缺及铂族金属供需矛盾,为我国高新技术产业、国防工业等领域的发展提供坚实的原料保障。

建成我国规模最大的铂族金属二次资源回收基地,年处理铂族金属二次资源5000吨、回收铂族金属10吨,产品纯度达99.95%~99.999%,废水废渣实现零排放。截止2020年底,项目累计从二次资源物料中回收回收铂族金属48.4吨,累计实现销售收入86.3亿元,

建立了铂族金属回收利用产业链,培养了一批专业技术人才。通过贵金属资源循环利用领域积累的核心共性技术、行业品牌优势及市场渠道优势,将不断壮大发展铂族金属二次资源循环利用产业经济,为推动我国铂族金属循环利用的绿色、可持续健康发展做出了重要贡献。

铂族金属二次资源循环利用关键技术及产业化,2020年获中国有色金属工业科技进步一等奖。

3、有机合成药物——药物催化剂技术(刘伟平)

铂族金属医药催化剂是一类非常重要的高端催化剂产品,用于临床上很多常用的重要药物的化学合成,为现代医药工业不可缺少和替代的关键材料。药物合成用铂族金属催化剂,由于直接关系到药品的质量和安全,代表着催化领域的最高技术水平。

针对我国一些重要药物合成用铂族金属催化剂尚未掌握关键的制备技术、产品需从欧美国家进口的局面,昆明贵金属研究所研究开发出八种重要药物合成用的铂族金属催化剂(包括新型催化前驱体的技术、Pt/C和Pd/C催化剂炭载体孔径与反应物分子尺度的匹配技术、金属粒径和分布的控制技术、催化剂过滤性能的调控技术、Pd及Rh均相催化剂的控制还原和定量配位的新技术)及其产业化制备成套技术,实现了制备工艺的高效和环保,在国内第一次建成了先进的示范生产线,产能7吨/年,产品具有高催化活性、高选择性的特点,整体技术已达到国际先进水平,已部分替代进口产品,在我国一些重要的常用药物生产中得到应用,打破了国际跨国公司的铂族金属催化剂产品在我国医药工业市场上的垄断局面,对我国医药产业的健康发展起着重要的推动作用。

取得了多件国家发明专利,制订国家质量标准和行业标准多项,获得国家重点新产品认证等一批重要成果,国际论文10篇,SCI影响因子达23.6,培养博士和硕士研究生9名、工程技术人员10名。产生了重大的社会和经济效益。

重要药物合成用铂族金属催化剂产业化制备技术的开发与应用,2016年获中国有色金属工业科技进步一等奖。

4、稀贵金属溅射靶材的突破——电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用(闻明)

电子信息产业是我国重点发展的战略性产业。稀贵金属薄膜由于其优良的物理化学性能,已成为电子信息产业起核心支撑作用的战略性材料。溅射靶材是制备薄膜的关键基础材料,高端稀贵金属溅射靶材的制备属于高精尖技术,主要被日本、美国等所垄断,它们掌握从材料提纯到靶材制造的完备技术链和产业垂直整合能力,控制了全球高端靶材市场和定价权。通常对靶材品质的要求是高纯度、细晶粒、结构均匀,而磁存储用靶材因其体系复杂、组元多、塑性差、难加工等特点成为靶材皇冠上的明珠,国内尚属空白,亟需开发高端稀贵靶材的成套关键制备技术,支撑电子信息产业发展。

         针对该现状,昆明贵金属研究所开展了电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用研究,取得良好成效:(1)建成了一条1500片/年靶材生产线,开发的靶材产品技术指标达到:纯度≥99.995wt%、靶材主成分偏差±0.5wt%以内、靶材密度≥98.5%、靶材与背板焊合率≥98.5%;(2)NiPt靶材产品替代进口并直接销售至国外著名半导体公司,Ru靶通过了美国西部数据公司的试用,CoCrPtB和 CoCrPt-SiO2靶填补了国内空白;(3)2014年至2017年累计销售靶材1500片,新增收入1.56亿(创汇517.2万美元)、新增利润2982.1万元;(4)申请发明专利25件,授权发明专利17件,授权实用新型专利1件,主持制定行业标准1项,发表论文66篇,溅射靶材研究团队入选云南省创新团队、云南省工人先锋号。

稀贵金属溅射靶材关键制备技术的突破,为我国电子信息产业的发展提供了关键基础材料及其制备技术的有力支撑,经济社会效益显著。

电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用,获2018中国有色金属工业科技进步一等奖。

5、新的制备方法——一种蒸发用高纯金材料及其制备方法(阳岸恒)

随着微电子材料向多功能化、复合化、低维化、智能化方向发展,器件尺寸的不断缩小到亚微米,流经欧姆接触的电流密度增加,在大电流、强电场和高温下欧姆接触的可靠性变得越来越重要。因此对形成M-S系统欧姆接触的高纯金蒸发材料及溅射靶材,要求金纯度>99.999%,碳含量小于≤0.5ppm。碳存在容易引起半导体芯片线路短路,造成芯片失效。本专利技术提供一种利用化学法把金提纯到99.999%以上,采用非石墨坩埚和非石墨铸模浇铸制造的一种碳含量小于≤0.3ppm的高纯金蒸发源和有效解决高纯金中碳去除关键性、共性技术方案。

应用专利技术成功开发出Au01、AuGe2、AuGe12、AuGe11.5Ni2、AuGe11.5Ni5、AuBe1、AuSn20、AuZn5等十多个新牌号,几十个规格产品。产品质量达到国外同类产品水平,获得国家重点新产品称号(编号2010GRF30002)。产品是制造化合物(GaN、GaAs等)半导体芯片不可替代的关键基础材料,大量应用于制造大规模集成电路、发光二极管(LED),核高基、微波通信器件和太阳能电池等。

         “一种蒸发用高纯金材料及其制备方法”发明专利,参加2017年云南省知识产权局举办“评选2017年云南省专利奖”活动,获得二等奖。