一、基本信息

谭志龙，男，1983年生，中共党员，博士研究生毕业，正高级工程师，硕士研究生导师。云南省技术创新人才、昆明市春城计划“青年拔尖”人才。

二、主要教育及工作经历

2003.9-2007.7  南昌航空大学金属材料  大学本科

2007.9-2010.7  昆明贵金属研究所材料学  硕士研究生

2016.9-2022.6  昆明理工大学材料学  博士研究生

2022.8-至今   云南实验室公司合金功能材料研究室主任

三、主要研究领域

主要从事稀贵金属相变存储材料、电真空钎焊材料、电接触材料等的设计、制备、组织结构表征以及性能评价和推广应用。

四、代表性成果

（一）获奖情况

1.中国有色金属工业科学技术一等奖，电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用，2018 年 12 月（排名第4）

（二）科研项目

1.主持（排名第1） “钌掺杂Sb-Te系相变存储材料高速高热稳定性相变机理研究”， 国家自然科学地区基金，项目经费：34万元，起止时间:2023-2026

2.主持（排名第1）“微波行业用AgCuGa系列电真空焊料器件制备关键技术及产业化”， 中央引导地方科技发展资金，项目经费：200万元，起止时间：2022-2023

3.主持（排名第1）“Low-E节能玻璃镀膜用高纯银溅射靶材关键制备技术”，云南省科研院所技术开发专项，项目经费：400万元，起止时间：2019-2021

4.主持（排名第1）“电子行业用高纯金靶材及金银键合复合丝的关键技术攻关及产业化”， 云南省重点研发项目专项，项目经费：180万元，起止时间：2017-2019

5.主持（排名第1）“镍铂合金热轧过程的多尺度耦合数值模拟及实验研究”，云南省应用基础研究项目，项目经费：10万元，起止时间：2016-2019

（三）发表论文

1.NiPt15合金热变形行为及热加工图研究，稀有金属材料与工程，2021年11月（排名第1）

2.NiPt15合金热变形行为及微观组织演变规律，材料导报，2021年10月（通讯作者）

3.Ruthenium doped Ge2Sb2Te5 nanomaterial as fast speed phase-change materials with good thermal stability，Solid-State Electronics，2021年9月（排名第1）

4.Investigation of Ru-doped Sb2Te alloy for high-speed and good thermal stability phase change memory applications，J Mater Sci: Mater Electron，2021年7月（排名第1）

5.Pt-Sb2Te as high speed phase-change materials with excellent thermal stability，Materials Research Express，2021年3月（通讯作者）

6.相变存储材料的研究现状及未来发展趋势，材料导报，2020年11月（通讯作者）

7.Finite Element Simulation and Experiment Study of Residual Stress Distribution of CVD Nb-C/SiC Composites，Materials Research Express，2019年7月（排名第1）

8.放电等离子体烧结Cu(In0.7Ga0.3)Se2四元合金靶材的结构和导电性研究，稀有金属材料与工程，2017年1月（排名第1）

（四）授权专利

1.发明专利（ZL201410775474.3），一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，2017年9月（排名第1）

2.发明专利（ZL201410260698.0），一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法，2016年5月（排名第1）

3.发明专利（ZL201410260448.7），一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，2016年7月（排名第1）

4.实用新型专利（ZL201220114986.1），一种粉末冶金用粉末装填装置，2012年3月（排名第1）

5.发明专利（ZL202010186265.0），一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，2021年10月（排名第4）

6.发明专利（ZL201911233947.6），一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法，2021年6月（排名第3）

7.发明专利（ZL201710776679.7），一种含Au纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法，2019年8月（排名第5）

8.发明专利（ZL201210141181.0），一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，2014年1月（排名第2）

五、带学生情况

2023年1名学生

2022年1名学生