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学生
教师
谭志龙-

一、基本信息

谭志龙,男,1983年生,中共党员,博士研究生毕业,正高级工程师,硕士研究生导师。云南省技术创新人才、昆明市春城计划“青年拔尖”人才。

二、主要教育及工作经历

2003.9-2007.7  南昌航空大学金属材料  大学本科

2007.9-2010.7  昆明贵金属研究所材料学  硕士研究生

2016.9-2022.6  昆明理工大学材料学  博士研究生

2022.8-至今   云南实验室公司合金功能材料研究室主任

三、主要研究领域

主要从事稀贵金属相变存储材料、电真空钎焊材料、电接触材料等的设计、制备、组织结构表征以及性能评价和推广应用。

四、代表性成果

(一)获奖情况

1.中国有色金属工业科学技术一等奖,电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用,2018 年 12 月(排名第4)

(二)科研项目

1.主持(排名第1) “钌掺杂Sb-Te系相变存储材料高速高热稳定性相变机理研究”, 国家自然科学地区基金,项目经费:34万元,起止时间:2023-2026

2.主持(排名第1)“微波行业用AgCuGa系列电真空焊料器件制备关键技术及产业化”, 中央引导地方科技发展资金,项目经费:200万元,起止时间:2022-2023

3.主持(排名第1)“Low-E节能玻璃镀膜用高纯银溅射靶材关键制备技术”,云南省科研院所技术开发专项,项目经费:400万元,起止时间:2019-2021

4.主持(排名第1)“电子行业用高纯金靶材及金银键合复合丝的关键技术攻关及产业化”, 云南省重点研发项目专项,项目经费:180万元,起止时间:2017-2019

5.主持(排名第1)“镍铂合金热轧过程的多尺度耦合数值模拟及实验研究”,云南省应用基础研究项目,项目经费:10万元,起止时间:2016-2019

(三)发表论文

1.NiPt15合金热变形行为及热加工图研究,稀有金属材料与工程,2021年11月(排名第1)

2.NiPt15合金热变形行为及微观组织演变规律,材料导报,2021年10月(通讯作者)

3.Ruthenium doped Ge2Sb2Te5 nanomaterial as fast speed phase-change materials with good thermal stability,Solid-State Electronics,2021年9月(排名第1)

4.Investigation of Ru-doped Sb2Te alloy for high-speed and good thermal stability phase change memory applications,J Mater Sci: Mater Electron,2021年7月(排名第1)

5.Pt-Sb2Te as high speed phase-change materials with excellent thermal stability,Materials Research Express,2021年3月(通讯作者)

6.相变存储材料的研究现状及未来发展趋势,材料导报,2020年11月(通讯作者)

7.Finite Element Simulation and Experiment Study of Residual Stress Distribution of CVD Nb-C/SiC Composites,Materials Research Express,2019年7月(排名第1)

8.放电等离子体烧结Cu(In0.7Ga0.3)Se2四元合金靶材的结构和导电性研究,稀有金属材料与工程,2017年1月(排名第1)

(四)授权专利

1.发明专利(ZL201410775474.3),一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法,2017年9月(排名第1)

2.发明专利(ZL201410260698.0),一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法,2016年5月(排名第1)

3.发明专利(ZL201410260448.7),一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法,2016年7月(排名第1)

4.实用新型专利(ZL201220114986.1),一种粉末冶金用粉末装填装置,2012年3月(排名第1)

5.发明专利(ZL202010186265.0),一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法,2021年10月(排名第4)

6.发明专利(ZL201911233947.6),一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法,2021年6月(排名第3)

7.发明专利(ZL201710776679.7),一种含Au纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法,2019年8月(排名第5)

8.发明专利(ZL201210141181.0),一种Ru非磁性薄膜及其制备方法,2014年1月(排名第2)