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学生
教师
王传军-


一、基本信息

王传军,男,1981年生,中共党员,硕士研究生,正高级工程师,硕士研究生导师。云南省技术创新人才、昆明市“春城计划”青年拔尖人才、昆明市学术和技术后备人选获得者。

二、主要教育及工作经历

2002.9-2006.7  昆明理工大学金属材料学 大学本科

2006.9-2009.4  昆明贵金属研究所材料学 硕士研究生

2017.9- 至今 昆明理工大学材料加工工程学 博士研究生在读

2009.7- 至今 云南贵金属实验室公司靶材研究室主任研究员

三、主要研究领域

主要从事稀贵金属溅射靶材的应用基础研究,涉及靶材设计、结构调控和性能优化及工程化应用。包括半导体领域用靶材及功能薄膜、磁记录用靶材及功能薄膜、半导体金属欧姆接触等

四、代表性成果

(一)获奖情况

1.中国有色金属工业科学技术奖一等奖,电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用,2018 12 排名第 6

2.中国有色金属工业科学技术奖一等奖,锂离子电池用高品质电解铜箔关键技术研发及产业化,2020 12 排名第 15

(二)科研项目

1.主持(排名1n型碳化硅表面镍基欧姆接触多层膜构建及热稳定性研究 云南省贵金属实验室基础研究项目项目经费:80万元,起止时间2022-2024

2.主持(排名1)“电子信息产业用稀贵金属功能材料关键技术研究 云南省重大科技专项课题项目经费:400万元,起止时间2021-2023

3.主持(排名第1)“电子信息产业用稀贵金属功能材料关键技术研究”, 云南省稀贵金属材料基因工程重大项目(Ⅰ期)课题,项目经费:251万元,起止时间:2021-2023

4.主持(排名第1)“先进电子器件用稀贵金属靶材关键共性制备技术开发及应用研究”,云南省科研院所技术开发研究专项,项目经费:140万元,起止时间:2018-2020

5.参与(排名第2)“高纯铜及铜靶材制备关键技术与应用研究”,云南省重大科技专项,项目经费:500万元,起止时间: 2021-2023

6.参与(排名第3)“稀有稀贵金属靶材微观组织-异质界面-综合性能协同调控机”,国家重点研发计划项目课题,项目经费:580万元,起止时间: 2021-2023

(三)发表论文

1.First-principles study on structural, mechanical, and electronic properties of disordered Pt1-xNix alloysMaterials Chemistry and Physics2020年(排名第4

2.Determination of Constitutive Equation and Thermo-Mechanical Processing Map for Pure IridiumMetals2020年(排名第4

3.Ir/Ni/W/Ni Ohmic Contacts for n-type 3C-SiC Grown on p-type Silicon SubstrateMaterials Research Express2021年,(通讯作者)

4.纯铂的热塑性变形行为及微观结构演变规律研究,贵金属,2021年(排名第2

5.Microstructure evolution of Ruthenium during vacuum hot-pressingJohnson Matthey Technology Review2021年(排名第3

6.金属及合金材料热变形中的本构模型与热加工图研究进展,材料导报,2022年(通讯作者)

7.Ru0.26Sb2Te3合金靶的制备方法及性能研究,稀有金属,2022年(通讯作者)

8.Assessing the Possibilities of NMx(Sb2Te3)1−x Solid Solutions (NM = Noble Metal) for Phase-Change Memory Applications Using High-throughput CalculationsJournal of Electronic Materials2022年(排名第2

9.基底温度对氧化铂薄膜结构与催化性能的影响,稀有金属材料与工程,2022年(排名第2

10.Preparation and electrocatalytic property of three-dimensional nano-dendritic platinum oxide filmSurface and Interface Analysis2022年(排名第3

(四)授权专利

1.发明专利(ZL201410231799.5),一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法,20168月(排名第1

2.发明专利(ZL202010245239.0),一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法,202111月(排名第4

3.发明专利(ZL202010186276.9),一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法,202111月(排名第6

4.发明专利(ZL202010186065.5),一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法,202111月(排名第6

5.发明专利(ZL202010186265.0),一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法,202110月(排名第5

6.发明专利(ZL202010245239.0),一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法,202110月(排名第1

7. 发明专利(ZL201911233947.6),一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法,20216月(排名第4

8.发明专利(ZL114318255A),一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法,20229月(排名第4

(五)其他

1.国家标准(GB/T 39157-2020),靶材技术成熟度等级划分及定义,202011月发布

2.国家标准(GB/T 39163-2020),靶材与背板结合强度测试方法,202111月发布

3.行业标准(YS/T 1068-2015),制备钌靶用钌粉,20154月发布