一、基本信息

王传军，男，1981年生，中共党员，硕士研究生，正高级工程师，硕士研究生导师。云南省技术创新人才、昆明市“春城计划”青年拔尖人才、昆明市学术和技术后备人选获得者。

二、主要教育及工作经历

2002.9-2006.7  昆明理工大学金属材料学  大学本科

2006.9-2009.4  昆明贵金属研究所材料学  硕士研究生

2017.9- 至今  昆明理工大学材料加工工程学 博士研究生在读

2009.7- 至今  云南贵金属实验室公司靶材研究室主任研究员

三、主要研究领域

主要从事稀贵金属溅射靶材的应用基础研究，涉及靶材设计、结构调控和性能优化及工程化应用。包括半导体领域用靶材及功能薄膜、磁记录用靶材及功能薄膜、半导体金属欧姆接触等。

四、代表性成果

（一）获奖情况

1.中国有色金属工业科学技术奖一等奖，电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程应用，2018 年 12 月（排名第 6）

2.中国有色金属工业科学技术奖一等奖，锂离子电池用高品质电解铜箔关键技术研发及产业化，2020年 12 月（排名第 15）

（二）科研项目

1.主持（排名第1）“n型碳化硅表面镍基欧姆接触多层膜构建及热稳定性研究”， 云南省贵金属实验室基础研究项目，项目经费：80万元，起止时间：2022-2024

2.主持（排名第1）“电子信息产业用稀贵金属功能材料关键技术研究”， 云南省重大科技专项课题，项目经费：400万元，起止时间：2021-2023

3.主持（排名第1）“电子信息产业用稀贵金属功能材料关键技术研究”， 云南省稀贵金属材料基因工程重大项目（Ⅰ期）课题，项目经费：251万元，起止时间：2021-2023

4.主持（排名第1）“先进电子器件用稀贵金属靶材关键共性制备技术开发及应用研究”，云南省科研院所技术开发研究专项，项目经费：140万元，起止时间：2018-2020

5.参与（排名第2）“高纯铜及铜靶材制备关键技术与应用研究”，云南省重大科技专项，项目经费：500万元，起止时间： 2021-2023

6.参与（排名第3）“稀有稀贵金属靶材微观组织-异质界面-综合性能协同调控机”，国家重点研发计划项目课题，项目经费：580万元，起止时间： 2021-2023

（三）发表论文

1.First-principles study on structural, mechanical, and electronic properties of disordered Pt1-xNix alloys，Materials Chemistry and Physics，2020年（排名第4）

2.Determination of Constitutive Equation and Thermo-Mechanical Processing Map for Pure Iridium，Metals，2020年（排名第4）

3.Ir/Ni/W/Ni Ohmic Contacts for n-type 3C-SiC Grown on p-type Silicon Substrate，Materials Research Express，2021年，（通讯作者）

4.纯铂的热塑性变形行为及微观结构演变规律研究，贵金属，2021年（排名第2）

5.Microstructure evolution of Ruthenium during vacuum hot-pressing，Johnson Matthey Technology Review，2021年（排名第3）

6.金属及合金材料热变形中的本构模型与热加工图研究进展，材料导报，2022年（通讯作者）

7.Ru0.26Sb2Te3合金靶的制备方法及性能研究，稀有金属，2022年（通讯作者）

8.Assessing the Possibilities of NMx(Sb2Te3)1−x Solid Solutions (NM = Noble Metal) for Phase-Change Memory Applications Using High-throughput Calculations，Journal of Electronic Materials，2022年（排名第2）

9.基底温度对氧化铂薄膜结构与催化性能的影响，稀有金属材料与工程，2022年（排名第2）

10.Preparation and electrocatalytic property of three-dimensional nano-dendritic platinum oxide film，Surface and Interface Analysis，2022年（排名第3）

（四）授权专利

1.发明专利（ZL201410231799.5），一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，2016年8月（排名第1）

2.发明专利（ZL202010245239.0），一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，2021年11月（排名第4）

3.发明专利（ZL202010186276.9），一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，2021年11月（排名第6）

4.发明专利（ZL202010186065.5），一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，2021年11月（排名第6）

5.发明专利（ZL202010186265.0），一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，2021年10月（排名第5）

6.发明专利（ZL202010245239.0），一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，2021年10月（排名第1）

7. 发明专利（ZL201911233947.6），一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法，2021年6月（排名第4）

8.发明专利（ZL114318255A），一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法，2022年9月（排名第4）

（五）其他

1.国家标准（GB/T 39157-2020），靶材技术成熟度等级划分及定义，2020年11月发布

2.国家标准（GB/T 39163-2020），靶材与背板结合强度测试方法，2021年11月发布

3.行业标准（YS/T 1068-2015），制备钌靶用钌粉，2015年4月发布

五、近五年培养学生及学生成果

（一）2020级研究生1名

1.Hot Deformation Behavior and Processing Maps of Pure Copper during Isothermal Compression[J]. Materials, 2023年（学生排名第一）；

2.金属及合金材料热变形中的本构模型与热加工图研究进展[J].材料导报,2022年（学生排名第一）；

3发明专利（ZL202211044447.X）一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用。

（二）2021级研究生1名

1.NiV/Cu 直接扩散焊接连接的显微组织与力学性能研究[J].焊接学报, 2024年（学生排名第一）；

2.发明专利（ZL202410685178.8），一种镍钒合金靶材的绑定方法；

3.发明专利（ZL202410349567.3），一种平面溅射靶材的绑定方法。

（三）2022级研究生1名

（四）2023级研究生1名